이온주입(Ion Implantation)과 도핑 기술의 최신 동향과 심층 해설
1. 서론반도체 소자의 성능과 특성을 결정하는 가장 중요한 공정 중 하나가 바로 이온주입(Ion Implantation)과 도핑(Doping)입니다. 이온주입과 도핑은 실리콘 웨이퍼 내에 불순물 원자를 정밀하게 주입하여 반도체의 전기적 특성을 제어하는 핵심 기술로, 미세화, 고집적화, 저전력화 등 첨단 반도체의 발전을 이끌고 있습니다. 본 글에서는 이온주입과 도핑의 원리, 주요 기술, 최신 동향, 품질 관리, 그리고 미래 전망까지 심층적으로 살펴봅니다.2. 도핑과 이온주입의 기본 원리2.1 도핑(Doping)이란?도핑은 순수한 실리콘 결정에 미량의 불순물 원자를 첨가하여 전기적 특성을 변화시키는 공정입니다. 도핑 원소로는 주로 인(P), 비소(As), 붕소(B) 등이 사용되며, 이들을 첨가함으로써 n형 ..
2025. 6. 23.
