전체 글167 산화공정(Oxidation)의 원리와 최신 장비 동향 1. 서론반도체 제조 공정에서 산화공정(Oxidation)은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막(Silicon Oxide, SiO2)을 형성하는 핵심 단계입니다. 이 산화막은 반도체 소자의 게이트 절연막, 마스킹 레이어, 표면 보호막 등 다양한 역할을 수행하며, 소자의 성능과 신뢰성에 직접적인 영향을 미칩니다. 미세화가 가속화되는 현대 반도체 산업에서 산화막의 두께, 균일성, 전기적 특성은 더욱 정밀하게 관리되어야 합니다. 머리카락의 10,000분의 1의 크기를 다루기 때문에 더더욱 그렇죠. 이에 따라 산화공정의 원리와 장비 기술도 빠르게 진화하고 있습니다.반도체에서 가장 첫 공정이 웨이퍼를 연마하는 공정이라면, 산화공정은 웨이퍼라는 땅에 콘크리트로 뼈대를 만드는 과정이라고 생각하면 이해가 빠를겁니다. 콘크리트.. 2025. 6. 15. 이전 1 ··· 45 46 47 48 49 50 51 ··· 167 다음
